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退火处理对Al掺杂ZnO薄膜的结构，光学和电学性质的影响

来源：doc163.com 资料编号：DC9342 文件类型：资料等级： %E8%B5%84%E6%96%99%E7%BC%96%E5%8F%B7%EF%BC%9ADC9342

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资料介绍：

退火处理对Al掺杂ZnO薄膜的结构，光学和电学性质的影响(中文3000字,英文pdf)

摘要：由直流（dc）和射频（rf)磁控溅射方式制作的含有锌目标al（1.5%含量）的高导电性和透明的掺杂zno（azo)薄膜。使用不同的技术，azo薄膜的结构，光学和电学性能在不同温度的退火处理（300和400℃下）显示不同的特征。实验结果表明，AZO薄膜的性能可以通过退火处理进一步提高。经退火处理后ZnO薄膜的结晶性提高。直流与射频（RF）磁控溅射制备的AZO薄膜在可见光区域的透射率分别是80%和85%。直流磁控溅射制备AZO薄膜的电阻率在经过退火处理火可低至8.06×10-4Ω⋅cm。有人还发现，射频反应磁控溅射制备的AZO薄膜比直流磁控溅射的有更好的结构性和光学性

关键词：AZO薄膜的结构，光学和电学性能;退火;透射光谱;电阻 [来源：http://www.doc163.com]